天津梯电（g-h）γ-LCSVO-MP的GITT测试的充放电曲线和DLi的变化情况 图三γ-LCSVO的动力学分析。

图五、落实表面离子栅对光电特性的调控机制ZnO纳米线薄膜上的离子吸附及其能带结构示意图。主持国家自然科学基金3项，高耗获得河南省科技进步二等奖2项。

业阶（b）自然状态下的氧离子吸附过程：氧气分子吸附后从表面得到电子。由于TENG的低成本和易操作性，天津梯电基于摩擦电微等离子体的浮动离子栅技术可以用于器件系统的构建，天津梯电为开发性能更高的新型电子和光电子纳米器件提供了新的思路和有效的策略。落实（d）不同调控周期下器件电流与调控次数及真空处理前后的关系曲线。

2003年起，高耗在河南大学特种功能材料教育部重点实验室工作，2013-2016年在佐治亚理工学院做访问学者，从事纳米结构与光电器件的研究。业阶(d)SIG调控后的器件在真空环境下不同时间的I-V曲线（e）及I-T曲线（f）。

【图文解读】图一、天津梯电Cd(OH)2@ZnO纳米线薄膜晶体管特性表征（a）器件SEM图。

落实（c）负电晕放电过程中离子产生及迁移示意图。然而，高耗对于自然界中以非常复杂的方式管理的光合作用系统来说，还有很多问题有待解决。

4.1.4、业阶使用添加剂和溶剂控制给体/受体结构4.2、业阶电子受体中的超分子结构图十九、典型的非完全受体小分子（a）基于IDT的NFA分子的典型例子（红色和蓝色分子片段表示A–(π)–D–(π)–A分子结构）。（b）有机层和无机层的能级匹配示意图，天津梯电导致垂直于无机层的较高导电性（面外导电性）。

（e）在可见光下质子还原催化18h，落实观察到不同形貌的催化剂活性的变化。尽管许多植物在长期的进化后其光合效率有了很大的改进，高耗但自然系统中光-生物量的整体转换依然效率不高。